以太 口雷击浪涌防护方案的设计思路：
以太 防护方案的设计需要考虑到雷击浪涌以及陶瓷放电管一级防护之后的残压，因此一般会采用GDT在变压器前端做共模 （八线）浪涌防护；并选择结电容低、反应时间快，兼顾防护静电功能的吸收差模能量。
百兆以太 防护方案（一）
防护电路图：
使用硕凯器件：
陶瓷气体放电管：
GDT【UN1206-200ASMD】直流标称电压200±30%V，冲击电流（8/20μs）0.5KA，电容值＜0.5pF，电阻＞100MΩ。
GDT【】直流标称电压90±20%V，冲击电流（8/20μs）2.0KA，电容值＜1.0pF，电阻＞1GΩ。
瞬态抑制二极管TVS管:
TVS【SLUV2.8-4】Vrwm：2.8V，Vb：3.0V，防静电能力（接触/空气）：8KV/15KV，结电容（f=1MHz）：2.0pF，封装：SO-08。
百兆以太 防护方案（二）
防护电路图：
使用硕凯器件：
陶瓷气体放电管：
GDT【UN1206-200ASMD】直流标称电压200±30%V，冲击电流（8/20μs）0.5KA，电容值＜0.5pF，电阻＞100MΩ。
GDT【UN1812-90CSMD】直流标称电压90±20%V，冲击电流（8/20μs）2.0KA，电容值＜1.0pF，电阻＞1GΩ。
瞬态抑制二极管TVS管:
TVS【ESD03V32D-LC】Vrwm：3.0V，Vb：4.0V，防静电能力（接触/空气）：8KV/15KV，结电容（f=1MHz）：1.2pF，封装：SOD-323。
千兆以太 防护方案（一）
防护电路图：
使用硕凯器件：
陶瓷气体放电管：
GDT【UN1206-200ASMD】直流标称电压200±30%V，冲击电流（8/20μs）0.5KA，电容值＜0.5pF，电阻＞100MΩ
GDT【UN1812-90CSMD】直流标称电压90±20%V，冲击电流（8/20μs）2.0KA，电容值＜1.0pF，电阻＞1GΩ。
瞬态抑制二极管：
TVS【SLUV2.5-8】Vrwm：2.V，Vb：3.0V，防静电能力（接触/空气）：30KV/30KV，结电容（f=1MHz）：3.0pF，封装：SOP-08，超低漏电流
千兆以太 防护方案（二）
防护电路图：
使用硕凯器件：
陶瓷气体放电管：
GDT【UN1206-200ASMD】直流标称电压200±30%V，冲击电流（8/20μs）0.5KA，电容值＜0.5pF，电阻＞100MΩ
GDT【UN1812-90CSMD】直流标称电压90±20%V，冲击电流（8/20μs）2.0KA，电容值＜1.0pF，电阻＞1GΩ。
：
TVS【ESD03V32D-LC】Vrwm：3.0V，Vb：4.0V，防静电能力（接触/空气）：8KV/15KV，结电容（f=1MHz）：1.2pF，封装：SOD-323。
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