南大光电是前驱体材料高纯金属有机源全球龙头公司和中国本土半导体光刻胶重要供应商，涵盖前驱体材料、电子特气、光刻胶及配套材料。
公司业务结构有前驱体、电子特气、光刻胶及配套体三部分组成。
前驱体材料板块由MO源类产品构成，同时布局了高纯ALD/CVD前驱体、高K三甲基铝、硅前驱体和OLED材料产品。
MO源即高纯金属有机源，用于支撑金属有机化学气相沉淀（MOCVD）、金属有机分子束外延（MOMEB）技术生长半导体微结构材料，是MOCVD工艺的核心原料，公司是全球MO源主要生产商，全球市占率超过40%。
高纯ALD/CVD前驱体产品是整个电子工业体系的核心原材料之一，广泛应用于电脑芯片、太阳能电池、移动通讯、卫星导航、航天器等电子器件制造。
第二个大的业务模块“电子特气”包括氢类电子特气和含氟电子特气产品。收购来的子公司飞源气体主营三氟化氮 NF3与六氟化硫SF6含氟特种电子气体，拥有3000吨 NF3和2000吨SF6产能。
NF3 全球生产商有韩国SK和日本KDK，两家公司劣势在于原材料均由中国采购，生产成本高。中国生产商有中船718所及大成黎明，前者是中国最大 NF3生产商。
全资子公司全椒南大光电的磷烷、砷烷是高纯特种气体中技术门槛和开发难度最高的两个品种，是半导体、LED、光伏、航天和国防事业的关键原材料，长期处于海外技术封锁阶段。
有35吨高纯磷烷、15吨高纯砷烷产能，占据中国75%份额，进入了英特尔、欧司朗、飞利浦供应商名录。
第三大业务模块是光刻胶及配套体，光刻是IC制造中最重要的一环，是将IC设计好的图形由掩膜版转移至硅片后再进行下一步刻蚀的工艺，成本占芯片制造30%，时间占50%，是IC制造中耗时最大、难度最高的工艺。
半导体光刻胶细分领域可分为 g 线（436nm）、i 线（365nm）、KrF（248nm），ArF（193nm）及新兴起的 EUV 光刻胶5大类，主流是ArF光刻胶。
半导体光刻胶中国自给率极低，适用于6英寸硅片的g 线/i线光刻胶的自给率约20%，适用于8英寸硅片的KrF光刻胶的自给率不足5%，而适用于12英寸硅片的完全依赖进口，最先进的EUV光刻胶由少数几家海外公司掌握。
南大光电自主研发的ArF光刻胶产品已通过客户使用认证，验证使用的50nm闪存技术平台，在特征尺寸上，线制程工艺可满足45nm-90nm光刻需求，孔制程工艺可满足65nm-90nm 光刻需求。
南大光电光刻胶可在2021年底形成年产25吨193nm（ArF干式5吨和浸没式20吨）光刻胶产品生产规模，产品性能满足90nm-14nm集成电路制造的要求。
2016年至2020年，收入从1.01亿元到5.94亿元，增长了488%；利润从523万元到1.08亿元，增长了1965%。
自上市以来，分红10次1.92亿元，增发1次6.02亿元。
南大光电可比公司是日本合成橡胶、东京应化、信越化学、富士电子材料、鼎龙股份、雅克科技、安集科技、晶瑞电材、Dow Akzo Nobel SAFC Hitech。
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